نسل جدید حافظه مغناطیسی با دستاورد محقق ایرانی

يک تيم تحقيقاتي با همکاري محقق ايراني با استفاده از ولتاژ الکتريکي به جاي جريان الکتريکي به پيشرفت عمده‌اي در طراحي حافظه مغناطيسي (MRAM) فوق سريع و با ظرفيت بالا دست يافتند.

در حال حاضر حافظه مغناطيسي بر پايه فناوري موسوم به اسپين انتقال گشتاور (STT) استوار است که از اسپين الکترون استفاده مي‌کند؛ اما اين حافظه به مقدار معيني انرژي نياز دارد و ظرفيت حافظه نيز محدود است.

حافظه مغناطيسي موسوم به MeRAM از پتانسيل بسيار بالايي براي آينده تراشه‌هاي حافظه در دستگاه‌هايي مانند تلفن همراه هوشمند، رايانه ها و ذخيره سازي داده حالت جامد (SSD) برخوردار است.

اين حافظه ترکيبي از انرژي پايين با سرعت بالا در خواندن و نوشتن داده ها و توانايي فلش مانند براي حفظ داده‌ها در شرايطي است که هيچ انرژي اعمال نمي‌شود.

در حافظه MeRAM براي نوشتن داده ها، جريان الکتريکي STT با ولتاژ جايگزين مي شود؛ اين اقدام نياز به حرکت تعداد زيادي از الکترون ها را در طول سيم کاهش مي دهد؛ در اين شرايط کارآمدي مصرف انرژي سيستم بين 10 تا يک هزار برابر افزايش پيدا مي کند.

«پدرام خليلي اميري» دانشيار پژوهشي مهندسي برق دانشگاه کاليفرنيا، لس آنجلس(UCLA) و همکار اين طرح تأکيد مي کند: توانايي سوئيچ مغناطيسي در مقياس نانو با استفاده از ولتاژ پايين، يک دستاورد چشمگير و پيشرفت سريع تحقيقات در حوزهمغناطيس محسوب مي شود.

توسعه اين فناوري بشکل يک محصول علاوه بر کاهش ميزان مصرف انرژي، مي تواند باعث فراهم شدن زمينه کاربردهاي جديد شود که به کاهش هزينه ها و افزايش ظرفيت حافظه منجر مي شود.